DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

　　DS12885、DS12887和DS12C887实时时钟(RTC)可用来直接替代DS1285和DS1287。该器件提供一个实时时钟/日历、定时闹钟、三个可屏蔽中断(共用一个中断输出)、可编程方波输出和114字节的电池备份静态RAM (DS12C887和DS12C887A包含113字节RAM)。DS12887在24引脚模块DIP封装内集成了晶体和锂电池。DS

　　600 V、8 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更加坚固可靠。一起购买时，将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。 特征随温度变化

　　650V,20A,至247-3包件,第6代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV)逆变器和消费电子产品。 特点最低正向电压(V) f )工业温度下降零反回收电荷(q) Rr )用于超快转换操作强有力的MPS技术高反向电压阻断能力当前硅

　　1200 V、4 mΩ、XM3、k8凯发天生赢家一触即发半桥 SiC 电源模块Wolfspeed 开发了 XM3 电源模块平台，以最大限度地发挥碳化硅的优势，同时保持模块和系统设计的稳健性、简单性和成本效益。k8凯发天生赢家一触即发XM3 电源模块的重量和体积仅为标准 62 毫米模块的一半，可最大限度地提高功率密度，同时最大限度地降低环路电感并实现简单的电源总线°C 的连续结操作

　　10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28 伏电源轨运行；提供通用用途；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 效率高；高增益和宽带宽能力；使 CG2H40010 成为线性和压缩放大器电路的理想选

　　100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40100；采用 50 伏电压轨运行；提供通用用途；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 效率高；高增益和宽带宽能力；使 CGHV

　　70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷达系统的内部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGHV59070；由 50 伏电压轨供电；提供通用目的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 效率高；高增益和宽带宽功能使 CGHV590

　　35-W；9.0 - 10.0 GHz；28V；用于雷达功率放大器的 GaN MMICCMPA901A035F1 是一款完全匹配的 MMIC，采用耐热增强型气腔封装。该器件在 28V 电压下工作，能够提供 40W 的 CW 输出功率。该设备还可以在脉冲条件下运行。 特征典型输出功率 40 W典型功率增益 23 dB典型 PAE 35%工作电压高达 28 V

　　CHKA012a99F 是一款 140W 氮化镓高电子迁移率晶体管k8凯发天生赢家一触即发。该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供通用宽带解决方案。它是在 SiC 衬底上采用 0.5μm 栅极长度 GaN HEMT 技术开发的，符合法规，特别是 RoHS N°2011/65 和 REACh N°1907/2006 指令它采用裸芯片形式，需要外部匹配电路。 氮化镓功率晶体管 参